行業(yè)主要上市企業(yè)：目前國(guó)內(nèi)氮化鎵行業(yè)的上市公司主要有(688396)、(600703)、(600460)、(600745)

本文核心數(shù)據(jù)：氮化鎵(GaN)下游應(yīng)用領(lǐng)域結(jié)構(gòu)、GaN在光電領(lǐng)域應(yīng)用規(guī)模、SiC、GaN電子電力市場(chǎng)規(guī)模、GaN微波射頻器件市場(chǎng)規(guī)模

1、光電領(lǐng)域占據(jù)氮化鎵主要需求市場(chǎng)

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微博射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明、激光等)。

光電器件是氮化鎵的主要應(yīng)用方向，2020年占GaN整體市場(chǎng)規(guī)模的68%，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到224.7億元左右。

2、電子電力領(lǐng)域需求大漲

由于GaN材料電子漂移飽和速度高，擊穿場(chǎng)強(qiáng)大，目前硅基GaN功率器件具有高反向關(guān)斷電壓、更高的工作頻率和更低的導(dǎo)通電阻等特性，可使電源做的更小，效率更高，更高的功率密度。在開(kāi)關(guān)電源、電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、UPS、數(shù)據(jù)中心、無(wú)線充電，芯片處理器等應(yīng)用具有非常好的前景。根據(jù)CASA統(tǒng)計(jì)，2020年我國(guó)SiC、GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模約為46.8億元，較2019年同比增長(zhǎng)90%。

其中，國(guó)外多家企業(yè)開(kāi)始推動(dòng)GaN在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。與Si技術(shù)相比，GaN芯片可將開(kāi)關(guān)速度最大提高4倍，降低電壓和電流交叉損耗;功率密度最高增加40%;降低了整體系統(tǒng)重量和成本。盡管相較SiC產(chǎn)品，GaN車用仍然處于早期階段，但豐田等廠商已經(jīng)開(kāi)始上車測(cè)試，考慮其成本優(yōu)勢(shì)，未來(lái)市場(chǎng)前景被業(yè)內(nèi)人士看好。

在射頻領(lǐng)域，氮化鎵以高頻、高效、大功率的特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域，在解決國(guó)家重大安全需求上發(fā)揮了關(guān)鍵作用。

近年來(lái)，我國(guó)5G基站建設(shè)力度加大，帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)GaN微波射頻器件市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)張。根據(jù)CASA統(tǒng)計(jì)，2020年我國(guó)GaN微波射頻器件市場(chǎng)規(guī)模為66.1億元，同比增長(zhǎng)57.2%。

關(guān)鍵詞： 電子電力領(lǐng)域 電子 電力 領(lǐng)域